Samsung Electronics, световен лидер в областта на усъвършенстваните технологии за памет, обяви масовото производство на 250GB SATA SSD дискове, базирани на 256-гигабитови V-NAND модули от шесто поколение с повече от 100 слоя трибитови клетки, които ще бъдат доставени на световните производители на персонални компютри. Samsung се нуждаеше само от 13 месеца, за да създаде своя V-NAND от следващо поколение, като намали производствения си цикъл с четири месеца, предоставяйки най-бързите, енергийно ефективни и лесни за производство модули.
Шестото поколение V-NAND модул на Samsung се отличава с най-високата скорост на трансфер на данни в индустрията, демонстрирайки производственото предимство на компанията за издигане на 3D паметта на следващото ниво. Благодарение на уникалната технология на Samsung за гравиране на каналите новите V-NAND чипове имат около 40% повече клетки в сравнение с еднослойните 9x модули памет от предишното поколение. Това се постига чрез формиране на електропроводима 136-слойна структура, последвана от вертикално пробиване на цилиндрични отвори отгоре надолу, в резултат на което се получават хомогенни 3D клетки с технология за светкавично улавяне на заряд CTF .
С увеличаването на височината на матрицата във всяка клетка NAND флаш чиповете стават по-податливи на грешки и закъснения при четене. За да преодолее това ограничение, Samsung въведе оптимизирана по отношение на скоростта схема, с която се постига максимална скорост на трансфер от по-малко от 450 микросекунди µs при операции за запис и по-малко от 45 µs при операции за четене. В сравнение с предишното поколение, новият дизайн постига повече от 10% подобрение на производителността и повече от 15% намаление на консумацията на енергия.
Решенията от следващо поколение V-NAND могат да достигнат повече от 300 слоя благодарение на оптимизиран дизайн, съчетаващ три клетки от шесто поколение, без да се прави компромис с производителността или надеждността на чипа. Освен това новото поколение чип изисква само 670 m дължина на вълната за постигане на 256 GB плътност в сравнение с 930 m при предишното поколение. Това доведе до по-малки чипове и по-малко производствени стъпки, което увеличи ефективността на производството с 20 %.
Използвайки високоскоростни функции с ниска консумация на енергия, Samsung не само възнамерява да разшири използването на своите 3D V-NAND решения в приложения като мобилни джаджи и корпоративни сървъри, но и да ги внедри на автомобилния пазар, където високата надеждност е от ключово значение.
„Чрез внедряването на усъвършенствана технология за 3D памет в моделите за масово производство ние сме в състояние да представим линии памет, които имат значително по-висока скорост и консумация на енергия“, каза Кие Хьон Кюн, вицепрезидент на отдел „Флаш памет и технологии“ в Samsung Electronics. – Чрез съкращаване на цикъла на разработване на продукти V-NAND от следващо поколение планираме да разширим агресивно пазара на нашите високоскоростни и високопроизводителни решения 512 Gb V-NAND.
След пускането на 250-гигабайтовия SSD диск Samsung планира да пусне 512-гигабайтови SSD дискове с тройна V-NAND и eUFS през втората половина на годината. Компанията възнамерява също така да разшири производството на своето мощно, високоскоростно решение V-NAND от шесто поколение в завода си в Пьонгтаек, Корея, от следващата година.
Какво е основното подобрение на шестото поколение V-NAND 3D SSD на Samsung в сравнение с предишните поколения?
Какви нови функции и подобрения предлага шестото поколение V-NAND 3D SSD на Samsung? Очаквам информация за по-бърза скорост на четене и запис, по-голяма производителност и по-голям капацитет. Също така, има ли някакви важни промени в дизайна или други възможности за подобряване на използваемостта на устройството? Благодаря предварително за отговора!